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紧追热潮,力旺NeoFlash技术触控芯片试产

2011-05-24 09:33 作者:admin [ ]

台湾嵌入式非挥发性内存(Embedded Non-Volatile Memory)硅智财领导厂商力旺电子宣布,其嵌入式闪存硅智财NeoFlash除可广泛使用于MCU、消费性电子产品外,近期内已成功实现于触控芯片(Touch Panel Controller IC)与电池容量侦测芯片(Gauge IC)的用户产品上,提供具成本优势之嵌入式闪存解决方案,协助客户降低成本、提升产品竞争力,快速抢得领先契机,目前采用NeoFlash技术的触控芯片与电池容量侦测芯片已进入试产阶段。
    近来消费性电子市场逐渐升温,美国消费性电子协会预估全球2011年消费性电子可达9,640亿美元,年成长率为10%,而根据电子时报最新统计分析,单就两岸厂商触控芯片出货量,2011年上半年即较去年同期成长高达237.4%,发展潜力惊人。因应消费性电子产品提高产品效能、降低功耗与缩小尺寸的需求,IC芯片嵌入使用NeoFlash硅智财将可大幅减少耗电量与整机系统产品的成本。以Gauge IC为例,嵌入使用NeoFlash硅智财将可有效存取电池操作模式,记录耗电程度,协助发挥电池之最佳效能,且因制程简化,使其能较传统内嵌式闪存节省至少25%的制造成本。此外,NeoFlash因容量规格涵盖范围广泛(16Kbits~2Mbits),特别适合智能型手机、平板计算机、微控制器MCU等应用市场,可积极协助客户推出多样化产品,满足客户不同需求。
    力旺电子之核心技术NeoBit、NeoFlash与NeoEE具有制程简单、成本低廉与保密性佳的绝对优势。应用端厂商将力旺电子之硅智财产品嵌入芯片后,只需对芯片进行库存管理,不须如传统外挂式闪存进行额外之库存管理,更毋需担心因库存不足或产能受限而延误产品上市时间,能具体缩短开发周期,积极协助客户加速Time to Market之时程。其次,嵌入式硅智财因经过封装,不容易被盗拷,对于重要信息的保存更有保障。而NeoFlash系列硅智财最大操作电压仅需6伏特,且与逻辑制程完全兼容,故使用NeoFlash可将外加之光罩数自一般8至9道缩减至2至3道,更大幅降低制程复杂度与生产成本。
    展望未来,预期NeoFlash与NeoEE之营收贡献将渐次发酵,挹注产品营收。自NeoFlash系列硅智财推出迄今,已深获台湾、美国、日本等地客户的高度肯定,目前0.18微米之逻辑与高压制程均已可供量产,而0.13微米与0.11微米则预计于2011年底通过验证与导入量产。